ზეთხელი ნიტრიდული ფირების მიღების ტექნოლოგიის დამუშავება

ფართოზონიანი ნახევარგამტარული ნაერთ GaN-ის ბაზაზე შექმნილი სტრუქტურები ითვლება ერთ-ერთ პერსპექტიულ მასალად ზემაღალი სიხშირის (ზმს) ტრანზისტორების, მონოლითური ინტეგრალური სქემების (მის), ლაზერული და მაშუქი დიოდების შექმნისთვის. ეს ხელსაწყოები მუშაობენ ბევრად უფრო ფართო სიხშირულ დიაპაზონში, მაღალ ტემპერატურებზე, და ასევე დიდი სიმძლავრის გამოსავლიანობით, ვიდრე შესაბამისი ხელსაწყოები აგებული Si, GaAs, SiC და სხვა ნახევარგამტარებზე. მათი გამოყენება თანამედროვე რადიოელექტრონულ მოწყობილობებში, არსებითად ზრდის მათში ინტეგრაციის ხარისხს, გაძლიერების, მოდულაციის და სხვა ძირითად პარამეტრებს. მათზე შუქდიოდების დამზადების ტექნოლოგიის ძირითადი მიზანი მდგომარეობს იმაში, რომ შეიქმნას სინათლისწყაროები თეთრი ფერის მთელი სპექტრის უბანში, რათა გამოყენებულ იქნას შუქდიოდები ფერად მოწყობილობებში: ინდიკატორები, ეკრანები და ა.შ. ნაერთ GaN-ის მიღება სხვადასხვა ქვესაფენზე შესაძლებელია სხვადასხვა მეთოდით: მოლეკულურ–სხივური ან თხევადი ეპიტაქსიით, წყვილფაზური (პარაფაზური) ქიმიური დაფენით (CVD), კოლოიდური ხსნარებიდან მისი გამოყოფით და დაფენით, ლენგმიურ–ბლონჯეტის ტექნოლოგიით, მეტალოორგანული ნაერთიდან ქიმიური რეაქციით გაზტრანსპორტის თანხლებით (MOCVD) და ა.შ. მათ აქვთ დადებითი და უარყოფითი მხარეები. აქედან გამომდინარე, წინამდებარე სადიპლომო ნაშრომის მიზანია: ფორმირებულ იქნას GaN-ის ნანოფირი გალიუმის მაგნეტრონული გაფრქვევით აზოტის არეში, იმპულსური ფოტონური გამოწვით და გაიზომოს ზოგიერთი პარამეტრები.